“中国功率半导体领路人”昨逝世

本报讯（记者 郜阳）记者从中国科学院获悉，中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，12月4日在成都逝世，享年89岁。

陈星弼1931年生于上海，1952年从同济大学电机系毕业，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作，1956年开始在电子科技大学任教，1999年当选中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士。

陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他一生发表学术论文200余篇，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。

陈星弼曾获国家技术发明奖、科技进步奖等诸多荣誉，2015年获IEEE ISPSD（国际功率半导体器件与集成电路年会）颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

今年以来，我国已痛失29位院士，其中包括17位中国科学院院士和12位中国工程院院士。