三星电子副会长金基南(右)与得州州长阿博特在记者会上握手
工作人员检查制造的半导体晶圆 图GJ
韩国三星电子再次被迫对美国妥协。据韩国媒体24日报道,三星电子在美国得克萨斯州宣布,将斥资170亿美元在得州泰勒市新建一座巨型半导体晶圆代工厂。这将是三星电子在美国的第二座半导体晶圆工厂。
三星电子是世界第二大半导体晶圆生产商。该工厂在美投产后,将进一步重塑全球芯片产业链。
受到美国政府压力
三星电子副会长金基南、得克萨斯州州长阿博特和参议员约翰·科宁等人在得州州长官邸出席了记者会。
据介绍,将于得州泰勒市新建的半导体晶圆代工厂计划明年上半年动工,2024年下半年投入量产,主要生产5G、高性能计算机和人工智能等尖端系统所需的半导体。
2021年5月,三星电子在美国华盛顿特区举行的“韩美商务圆桌会议”上,发布在美新建晶圆工厂计划。时隔6个月,最终敲定工厂选址。
据美媒报道,泰勒市为吸引三星电子落户,今后10年将向三星电子提供92.5%的财产税减免优惠。此外,位于泰勒市的代工厂与三星在美的第一座半导体晶圆代工厂仅相距约25公里,可以便利地利用工厂所需的相关基础设施。
不过,三星电子的投资布局与美国的政治压力也不无关联。此前,拜登政府及美国多个州政府出台措施,要求和鼓励全球半导体企业投资美国,意图重振美国半导体制造业,掌握全球芯片产业命脉。据统计,美国半导体制造业巅峰时的全球市场占有率曾达42%,目前已降至17%。
今年9月,美国商务部以应对全球芯片危机为名,胁迫包括台积电、三星电子在内的20多家半导体相关企业在本月8日之前提供商业机密数据。临近截止期限,台积电、三星等企业被迫对美妥协。
芯片巨头竞争激烈
此番高达170亿美元的投资,不仅是三星电子在美国规模最大的投资,也是三星电子在海外规模最大的一次投资,同时也是得州史上最大外国投资。
巨额资金和多个“最大”的背后,是三星电子借机赶超台积电的雄心。目前,台积电不仅在制程工艺上最为领先,在全球市场占有率上也以52.9%远超三星电子的17.3%。
三星电子在10月宣布,明年上半年将以“GateAll Around(GAA)技术”为基础引进3纳米微细工程。业界分析认为,此举是为了强调三星电子可比明年下半年才引进3纳米技术的台积电拥有技术优势。
有韩国半导体业内人士表示,这次在美投巨资建设芯片厂,意味着三星正式开始追逐台积电,以实现其成为全球最大半导体企业的“系统芯片2030”战略。此前,台积电计划投资120亿美元在亚利桑那州建芯片厂,英特尔也计划投入200亿美元在亚利桑那州建两座芯片厂,未来三家半导体巨头的竞争将愈加激烈。
担忧地缘政治风险
也有分析人士指出,在地缘政治风险加剧的背景下,三星电子的押注未必能够成功。
韩媒称,三星电子未来对美投资的确可能持续扩大。但是,鉴于三星电子在中国西安、天津、苏州等地同样也有重要生产基地,加上美国越发露骨地阻止外国半导体企业拓展在华业务,未来三星电子的处境恐怕不容乐观。
美国《华尔街日报》称,三星电子将不得不学会如何处理地缘政治关系,在世界最大经济体占据世界最重要行业的技术制高点是一件令人羡慕的事情,但并不一定让人感到舒适。韩国《亚洲经济》则指出,三星电子已经立下了力争世界第一的目标,在晶圆代工领域,位于韩国本土的平泽市将是三星的重点投资对象。但如果一再被美国的需求左右,进行非必要的投资,那原有的计划就会被打乱。 本报记者 杨一帆